STT-MRAM已成为最受关注的新一代存储半导体技术之一。该产品使用了可通过Spin-Torque传递转换的两种稳定的磁化状态(Magnetic State)，使处理速度非常快，耐久性也非常出色。
MRAM利用磁性来维持数据，因此即使不提供额外的电力，数据也能维持，电力消耗较少，器件的尺寸也非常小，因此可以制造出比现在更高密度的半导体。另外，由于只改变物质磁性的方向，半导体的耐久性好，储存和读取数据的速度也很快。
相比FRAM铁电，MRAM性能更加强劲，无论是PPI和SPI接口,读写速度更快可以做到35ns，支持无限次读写，超宽的耐温范围-40 - 150度，可实现超过20年的数据记录。
FRAM预充电期间如发生系统断电，则数据将被损坏，而STT-MRAM不会出现这种问题。在容量密度方面FRAM容量相对较小，可扩展性受限，而STT-MRAM支持 1Mb~1Gb。其可伸缩性好而得到很好的应用。在工艺技术方面，FRAM需要3D结构才能达到65nm工艺，而STT-MRAM 可达到28nm，以及将来的12nm制程工艺。以实现更少的发热和更好的能耗比，以及成本上的减少。
Netsol品牌是三星投资的旗下企业，MRAM产品采用三星28纳米制程，三星技术基础上进行应用端的研发设计。MRAM产品可与 Everspin、Avalache、Infineon/Cypress、Fujitsu、RENESAS品牌系列兼容替代， 品质与价格优势赢得客户青睐。Netsol致力于开发和销售高质量、高可靠性的工业级存储产品。
▌产品型号
Package | Speed | 8 WSON | 108MHz | 8 SOP | 108MHz | 8 WSON | 108MHz | 8 SOP | 108MHz | 8 WSON | 108MHz | 8 SOP | 108MHz | 8 WSON | 108MHz | 8 SOP | 108MHz | 8 WSON | 108MHz | 8 SOP | 108MHz | 8 WSON | 108MHz | 8 SOP | 108MHz | 8 WSON | 108MHz | 8 SOP | 108MHz | 8 WSON | 108MHz | 8 SOP | 108MHz | 8 WSON | 108MHz | 8 SOP | 108MHz | 8 WSON | 108MHz | 8 SOP | 108MHz | <span font-size:16px;"="">S3A1604R0M-AI1A |
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# Parallel STT-MRAM |
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Density | Org | VCC | Package | Temp | Speed | Part Number |
1M | x16 | 3.3 | 44 TSOP-II | -40~85C | 70ns | S3R1016V1M-UI70 |
48 FBGA | -40~85C | 70ns | S3R1016V1M-XI70 |
x8 | 3.3 | 44 TSOP-II | -40~85C | 70ns | S3R1008V1M-UI70 |
48 FBGA | -40~85C | 70ns | S3R1008V1M-XI70 |
2M | x16 | 3.3 | 44 TSOP-II | -40~85C | 70ns | S3R2016V1M-UI70 |
48 FBGA | -40~85C | 70ns | S3R2016V1M-XI70 |
x8 | 3.3 | 44 TSOP-II | -40~85C | 70ns | S3R2008V1M-UI70 |
48 FBGA | -40~85C | 70ns | S3R2008V1M-XI70 |
4M | x16 | 3.3 | 44 TSOP-II | -40~85C | 70ns | S3R4016V1M-UI70 |
48 FBGA | -40~85C | 70ns | S3R4016V1M-XI70 |
x8 | 3.3 | 44 TSOP-II | -40~85C | 70ns | S3R4008V1M-UI70 |
48 FBGA | -40~85C | 70ns | S3R4008V1M-XI70 |
8M | x16 | 3.3 | 54 TSOP-II | -40~85C | 70ns | S3R8016V1M-PI70 |
48 FBGA | -40~85C | 70ns | S3R8016V1M-XI70 |
x8 | 3.3 | 44 TSOP-II | -40~85C | 70ns | S3R8008V1M-UI70 |
48 FBGA | -40~85C | 70ns | S3R8008V1M-XI70 |
16M | x16 | 3.3 | 54 TSOP-II | -40~85C | 70ns | S3R1616V1M-PI70 |
48 FBGA | -40~85C | 70ns | S3R1616V1M-XI70 |
x8 | 3.3 | 44 TSOP-II | -40~85C | 70ns | S3R1608V1M-UI70 |
48 FBGA | -40~85C | 70ns | S3R1608V1M-XI70 |
▌应用领域
物联网：智能电表/水表/燃气表/可穿戴自动售卖机/摄像头/硬盘录像机
医疗：呼吸机/血液透析机/CT扫描仪/助听器/健康监测设备/
工控设备：工业PC/PLC/运动控制/无人机/网络服务器/数据采集器/企业SSD/电梯/机器人/电机编码器
汽车电子：电池管理系统(BMS)、智能安全气囊/自动驾驶辅助系统(ADAS)/导航和信息娱乐系统/发动机控制单元(ECU)/事件数据记录器(EDR)/动力总成系统
