关于MRAM,三星宣布重要突破新型存储之MRAM资讯32
三星的研究人员声称已经开发出有史以来最小、最节能的非易失性随机存取存储器。 该团队采用该公司的 28nm 嵌入式 MRAM,并将磁性隧道结扩展到 14nm FinFET 逻辑工艺。研究人员将在 12 月召开的国际电子器件会议上报告这一点,改论文的名称是World’s most energy-efficient MRAM technology for non-volatile RAM applications.。 论文中提到,该团队生产了一个独立的存储器,其写入能量要求为每比特 25pJ,读取的有效功率要求为 14mW,写入的有效功率要求为 27mW,数据速率为每秒 54Mbyte。循环为 10^14 个周期,当扩展到 16Mbit 设备时,一个芯片将占据 30 平方毫米。 为了实现这一性能,研究团队将磁性隧道结缩小到三星的 14nm FinFET 逻辑平台,与 28nm 的前身相比,面积增加了 33%,读取时间加快了 2.6 倍。 该研究的目标之一是证明嵌入式 MRAM 作为高速缓存存储器适用于依赖大型数据集和分析的应用,例如边缘 AI。 早前报道:三星研发出运算存储MRAM 三星半导体宣布,通过结构创新,实现了基于MRAM(磁阻式随机存取存储)的存储内运算(In-Memory Computing),进一步拓展了三星下世代低功耗AI芯片技术。 传统的运算体系中,存储中的数据要转移到处理芯片的数据运算单元进行处理,因此其对于频宽、延迟的要求非常高。 至于存储内运算则是一种新的运算模式,也可以当作存储与运算一体化的表现,也就是说,在存储中同时执行数据储存、数据运算处理,无需移动数据。同时,在存储网路中的数据处理是以高度平行的方式执行,因此提高性能的同时,还能大大降低功耗。 如果与其他存储比较,MRAM在运行速度、寿命、量产方面都有明显优势,功耗也远低于传统DRAM,关键是还具有非挥发的特点,断电也不会丢失数据。 可是MRAM也有其缺点,因为很难用于存储内运算,使得在标准的存储内运算架构中无法发挥低功耗优势。为了克服这一点,三星研究团队设计了一种名为“电阻总和”(resistance sum)的新型存储内运算架构,取代“电流总和”(current-sum)架构,进而成功开发了一种能演示存储内运算架构的MRAM阵列芯片,命名为“用于存储内运算的磁阻式存储交叉阵列”(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。 目前来看,这一交叉阵列成功解决了单个MRAM小电阻问题,从而降低功耗,实现了基于MRAM的存储内运算。按照三星研究,在执行AI运算时,采用MRAM存储内运算可以实现98%的笔迹辨识成功率、以及93%的人脸辨识准确率。 根据Report Linker研究,全球MRAM市场2021年至2026年的年复合成长率将达25%,并于2026年达到62亿美元的规模。该市场的主要驱动力是对穿戴式装置的需求增加、物联网设备的高度采用、运算技术的进步、对更高存储空间的需求以及缩短启动时间等因素。除了三星之外,Avalanche、CROCUS、Honeywell以及Everspin都是主要MRAM制造商。 最新研究显示,除了Toggle MRAM与自旋转移力矩式磁性存储(STT-MRAM)之外,自旋轨道力矩式磁性存储(SOT-MRAM)正在崛起。近年来包含英特尔、IMEC、三星及台积电都投入SOT-MRAM相关研究,不过量产仍需10年时间,也是须持续关注的趋势之一。 台积电入局mram,叫板三星? 早前,中国台湾工研院携手台积电共同发表的SOT-MRAM技术,能在低电压、电流的情况下,达到0.4纳米的高速写入,并具备7兆次的耐受度。 该项技术未来可整合成先进制程嵌入式记忆体,在AI人工智慧、车用电子、高效能运算芯片等领域具有极佳的前景。工研院电子与光电系统所所长张世杰乐观的表示:「MRAM兼具快闪记忆体非挥发性,近年来已成为半导体先进制程、下世代记忆体与运算的新星。」 国立阳明交通大学也在今日的VLSI上,共同发表新磁性记忆体的高效能运作技术。透过优化STT-MRAM(自旋转移矩磁性记忆体)的膜层和元件,提高写入速度,降低延迟、电流,并拉长使用寿命。 最重要的是,STT-MRAM能在127度到零下269度的范围内,稳定且高效运作,这也是工作温度横跨近400度的STT-MRAM,第一次在实验中被验证。未来可应用于量子电脑、航太等产业当中。 过去的传统架构中,处理器(CPU)会从记忆体内,存取已储存的数据,并进行运算处理。在一来一往的读写过程中,数据会徘徊在处理器和记忆体之间,造成延迟、高耗能等情况产生,影响到运算效率。 2018年,台积电董事长刘德音就谈过记忆体内运算(in-memory computing),即将逻辑芯片、记忆体进行异质整合,提升运算效能。事实上,许多研究机构都在尝试用不易耗损的新型记忆体开发此技术,但当中并不包含当前被广泛应用的NAND(快闪记忆体)。 MRAM为一种非挥发性记忆体,兼具耗能低、读写速度快等优点,以及微缩至22纳米以下的潜力,相当适合应用在嵌入式记忆体的领域。(文:半导体行业观察)
Article classification:
MRAM
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